Evolution ကိုထုပ်ပိုးခြင်း- GaN 2 နှင့် GaN 3 အားသွင်းကိရိယာများကြား ကွာခြားချက်များကို နားလည်ခြင်း

Gallium Nitride (GaN) နည်းပညာ ထွန်းကားမှုသည် ပါဝါအဒက်တာများ၏ အခင်းအကျင်းကို တော်လှန်ခဲ့ပြီး ၎င်းတို့၏ ရိုးရာဆီလီကွန်အခြေခံ ပစ္စည်းများထက် သိသိသာသာ သေးငယ်၊ ပေါ့ပါးပြီး ပိုမိုထိရောက်သော အားသွင်းကိရိယာများကို ဖန်တီးနိုင်စေခဲ့သည်။ နည်းပညာများ ရင့်ကျက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ အထူးသဖြင့် အထူးသဖြင့် GaN 2 နှင့် GaN 3 တို့၏ မတူညီသောမျိုးဆက် GaN တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ ပေါ်ထွက်လာသည်ကို ကျွန်ုပ်တို့တွေ့မြင်ရပါသည်။ နှစ်ခုစလုံးသည် ဆီလီကွန်ထက် သိသိသာသာ တိုးတက်မှုများကို ပေးစွမ်းနိုင်သော်လည်း ဤမျိုးဆက်နှစ်ခုကြားရှိ ကွဲလွဲမှုများကို နားလည်ရန်မှာ အဆင့်မြင့်ဆုံးနှင့် အထိရောက်ဆုံး အားသွင်းဖြေရှင်းချက်များကို ရှာဖွေနေသည့် စားသုံးသူများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ဤဆောင်းပါးသည် GaN 2 နှင့် GaN 3 အားသွင်းကိရိယာများကြားတွင် အဓိကကွာခြားချက်များအား နောက်ဆုံးအကြိမ်ထပ်လုပ်ခြင်းမှ ပေးဆောင်သော တိုးတက်မှုများနှင့် အကျိုးကျေးဇူးများကို ရှာဖွေဖော်ထုတ်ထားသည်။

ကွဲပြားမှုများကို တန်ဖိုးထားရန်၊ "GaN 2" နှင့် "GaN 3" တို့သည် တစ်ခုတည်းသော အုပ်ချုပ်ရေးအဖွဲ့မှ သတ်မှတ်ထားသော ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ စံသတ်မှတ်ချက်များ မဟုတ်ကြောင်း နားလည်ရန် အရေးကြီးပါသည်။ ယင်းအစား၊ ၎င်းတို့သည် သီးခြားထုတ်လုပ်သူများနှင့် ၎င်းတို့၏ မူပိုင်နည်းပညာများနှင့် ဆက်စပ်လေ့ရှိသော GaN ပါဝါထရန်စစ္စတာများ၏ ဒီဇိုင်းနှင့် ထုတ်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် တိုးတက်မှုများကို ကိုယ်စားပြုသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်ပြောရလျှင်၊ GaN 2 သည် စီးပွားရေးအရအသုံးပြုနိုင်သော GaN အားသွင်းကိရိယာများ၏ အစောပိုင်းအဆင့်ကိုကိုယ်စားပြုပြီး GaN 3 သည် မကြာသေးမီက တီထွင်ဆန်းသစ်မှုများနှင့် တိုးတက်မှုများကို ကိုယ်စားပြုပါသည်။

ကွဲပြားခြင်း၏ အဓိကနယ်ပယ်များ-

GaN 2 နှင့် GaN 3 အားသွင်းကိရိယာများကြားတွင် အဓိကကွာခြားချက်များမှာ အောက်ပါနေရာများတွင် ရှိနေသည်-

1. ကြိမ်နှုန်းနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြောင်းလဲခြင်း-

ဆီလီကွန်ထက် GaN ၏အဓိကအားသာချက်များထဲမှတစ်ခုမှာပိုမိုမြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းများတွင်ပြောင်းနိုင်မှုဖြစ်သည်။ ပိုမိုမြင့်မားသော ကူးပြောင်းမှုအကြိမ်ရေသည် အားသွင်းကိရိယာအတွင်း သေးငယ်သော inductive အစိတ်အပိုင်းများ (ထရန်စဖော်မာများနှင့် အလျှပ်ကူးကိရိယာများကဲ့သို့) ကို အသုံးပြုနိုင်ပြီး ၎င်း၏အရွယ်အစားနှင့် အလေးချိန်ကို သိသိသာသာ လျော့ကျစေပါသည်။ GaN 3 နည်းပညာသည် ယေဘူယျအားဖြင့် ဤကူးပြောင်းမှုကြိမ်နှုန်းများကို GaN 2 ထက် ပိုမိုမြင့်မားစေသည်။

GaN 3 ဒီဇိုင်းများတွင် တိုးမြှင့်ထားသော switching frequency သည် ပိုမိုမြင့်မားသော ပါဝါကူးပြောင်းမှုထိရောက်မှုသို့ ဘာသာပြန်ဆိုလေ့ရှိသည်။ ဆိုလိုသည်မှာ နံရံပလပ်ပေါက်မှ ထုတ်ယူလိုက်သော လျှပ်စစ်စွမ်းအင်၏ ရာခိုင်နှုန်း ပိုများသော စွမ်းအင်ကို အပူကဲ့သို့ ဆုံးရှုံးသွားသဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားသော စက်ပစ္စည်းသို့ အမှန်တကယ် ပို့ပေးပါသည်။ ပိုမိုမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်သည် စွမ်းအင်ဖြုန်းတီးမှုကို လျှော့ချပေးရုံသာမက အားသွင်းကိရိယာ၏ အအေးခံလည်ပတ်မှုကိုလည်း ပံ့ပိုးပေးကာ ၎င်း၏ သက်တမ်းကို ရှည်ကြာစေပြီး လုံခြုံမှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

2. အပူစီမံခန့်ခွဲမှု-

GaN သည် ပင်ကိုယ်အားဖြင့် ဆီလီကွန်ထက် အပူကို လျော့နည်းစေသော်လည်း၊ ပိုမိုမြင့်မားသော ပါဝါအဆင့်များနှင့် ကြိမ်နှုန်းများကို ကူးပြောင်းရာတွင် ထုတ်ပေးသည့် အပူကို စီမံခန့်ခွဲခြင်းသည် အားသွင်းကိရိယာဒီဇိုင်း၏ အရေးပါသော ကဏ္ဍတစ်ခုအဖြစ် ရှိနေသေးသည်။ GaN 3 တိုးတက်မှုများသည် ချစ်ပ်အဆင့်တွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူစီမံခန့်ခွဲမှုနည်းပညာများကို ထည့်သွင်းလေ့ရှိသည်။ ၎င်းတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော ချစ်ပ်အပြင်အဆင်များ၊ GaN ထရန်စစ္စတာကိုယ်တိုင်အတွင်းတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူပျံ့စေသည့်လမ်းကြောင်းများနှင့် ပေါင်းစပ်အပူချိန်အာရုံခံခြင်းနှင့် ထိန်းချုပ်မှုယန္တရားများပင် ပါဝင်နိုင်သည်။

GaN 3 အားသွင်းကိရိယာများတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူထိန်းစနစ်သည် ၎င်းတို့အား ပိုမိုမြင့်မားသော ပါဝါထုတ်ပေးမှုများနှင့် အပူလွန်ကဲခြင်းမရှိဘဲ ခိုင်ခံ့စွာလည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။ ၎င်းသည် လက်ပ်တော့များနှင့် တက်ဘလက်များကဲ့သို့ ပါဝါဗိုက်ဆာသော စက်ပစ္စည်းများကို အားသွင်းရန်အတွက် အထူးအကျိုးရှိသည်။

3. ပေါင်းစပ်မှုနှင့် ရှုပ်ထွေးမှု-

GaN 3 နည်းပညာသည် GaN ပါဝါ IC (Integrated Circuit) အတွင်း ပိုမိုမြင့်မားသော ပေါင်းစည်းမှုအဆင့်တွင် ပါဝင်လေ့ရှိသည်။ ၎င်းတွင် ပိုမိုထိန်းချုပ်ထားသော ဆားကစ်ပတ်လမ်း၊ အကာအကွယ်အင်္ဂါရပ်များ (ဥပမာ-ဗို့အားလွန်ခြင်း၊ လက်ရှိထက်လွန်ခြင်းနှင့် အပူချိန်လွန်ကဲခြင်းကာကွယ်မှု) နှင့် GaN ချစ်ပ်ပေါ်တွင် ဂိတ်ယာဉ်မောင်းများပင် ပါဝင်နိုင်သည်။

GaN 3 ဒီဇိုင်းများတွင် တိုးမြှင့်ပေါင်းစပ်မှုသည် ပြင်ပအစိတ်အပိုင်းများနည်းပါးသော ရိုးရှင်းသော အားသွင်းကိရိယာဒီဇိုင်းများကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။ ၎င်းသည် ပစ္စည်းများဘေလ်ကို လျှော့ချပေးရုံသာမက ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုလည်း မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပြီး အသေးအမွှားပြုလုပ်ခြင်းကို ပိုမိုအထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။ GaN 3 ချစ်ပ်များတွင် ပိုမိုခေတ်မီသော ထိန်းချုပ်မှု circuitry သည် ချိတ်ဆက်ထားသော စက်ဆီသို့ ပိုမိုတိကျပြီး ထိရောက်သော ပါဝါပေးပို့မှုကိုလည်း လုပ်ဆောင်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။

4. ပါဝါသိပ်သည်းဆ-

ပါဝါသိပ်သည်းဆကို ကုဗလက်မတစ်ခုလျှင် ဝပ်ဖြင့် တိုင်းတာသော ပါဝါသိပ်သည်းဆ (W/in³) သည် ပါဝါဒက်တာ၏ ကျစ်လစ်သိပ်သည်းမှုကို အကဲဖြတ်ရန်အတွက် အဓိက မက်ထရစ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ GaN နည်းပညာသည် ယေဘူယျအားဖြင့် ဆီလီကွန်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပါဝါသိပ်သည်းဆ သိသိသာသာ ပိုမြင့်မားစေသည်။ GaN 3 တိုးတက်မှုများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် ဤပါဝါသိပ်သည်းဆကိန်းဂဏန်းများကို ပို၍ပင် တွန်းအားပေးသည်။

ပိုမိုမြင့်မားသော ကူးပြောင်းခြင်းကြိမ်နှုန်းများ၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် GaN 3 အားသွင်းကိရိယာများရှိ အပူပိုင်းစီမံခန့်ခွဲမှု ပေါင်းစပ်မှုသည် ထုတ်လုပ်သူအား တူညီသော ပါဝါထွက်ရှိမှုအတွက် GaN 2 နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည့်ထက် ပိုမိုသေးငယ်ပြီး ပိုမိုအားကောင်းသည့် အဒက်တာများကို ဖန်တီးနိုင်စေပါသည်။ ၎င်းသည် သယ်ဆောင်ရလွယ်ကူမှုနှင့် အဆင်ပြေမှုအတွက် သိသာထင်ရှားသော အားသာချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။

5. ကုန်ကျစရိတ်-

တိုးတက်ပြောင်းလဲလာသော နည်းပညာများကဲ့သို့ပင် မျိုးဆက်သစ်များသည် မြင့်မားသော ကနဦးကုန်ကျစရိတ်များဖြင့် လာတတ်သည်။ GaN 3 အစိတ်အပိုင်းများသည် ပိုမိုအဆင့်မြင့်ပြီး ပိုမိုရှုပ်ထွေးသော ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးချနိုင်ခြင်းကြောင့် ၎င်းတို့၏ GaN 2 အစိတ်အပိုင်းများထက် ပိုမိုစျေးကြီးနိုင်ပါသည်။ သို့သော်လည်း ထုတ်လုပ်မှု အတိုင်းအတာ မြင့်တက်လာပြီး နည်းပညာသည် ပင်မရေစီးကြောင်း ဖြစ်လာသည်နှင့်အမျှ ကုန်ကျစရိတ် ကွာခြားမှုသည် အချိန်နှင့်အမျှ ကျဉ်းမြောင်းလာမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။

GaN 2 နှင့် GaN 3 အားသွင်းကိရိယာများကို ခွဲခြားသတ်မှတ်ခြင်း-

ထုတ်လုပ်သူများသည် ၎င်းတို့၏ အားသွင်းကိရိယာများကို "GaN 2" သို့မဟုတ် "GaN 3" အဖြစ် အမြဲတမ်း အတိအလင်း တံဆိပ်တပ်လေ့ မရှိသည်ကို သတိပြုရန် အရေးကြီးပါသည်။ သို့သော်၊ အားသွင်းကိရိယာ၏ သတ်မှတ်ချက်များ၊ အရွယ်အစားနှင့် ဖြန့်ချိသည့်ရက်စွဲအပေါ် အခြေခံ၍ အသုံးပြုသည့် GaN နည်းပညာ မျိုးဆက်ကို မကြာခဏ ခန့်မှန်းနိုင်သည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်၊ အထူးမြင့်မားသော ပါဝါသိပ်သည်းဆနှင့် အဆင့်မြင့်အင်္ဂါရပ်များ ကြွားလုံးကြွားသည့် အသစ်သော အားသွင်းကိရိယာများသည် GaN 3 သို့မဟုတ် နောက်ပိုင်းမျိုးဆက်များကို အသုံးပြုရန် ပိုများပါသည်။

GaN 3 အားသွင်းကိရိယာကို ရွေးချယ်ခြင်း၏ အကျိုးကျေးဇူးများ

GaN 2 အားသွင်းကိရိယာများသည် ဆီလီကွန်ထက် သိသာထင်ရှားသော အားသာချက်များကို ပေးဆောင်ထားပြီးဖြစ်သော်လည်း၊ GaN 3 အားသွင်းကိရိယာကို ရွေးချယ်ခြင်းက အောက်ပါအပါအဝင် နောက်ထပ်အကျိုးကျေးဇူးများကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်-

• ပိုသေးပြီး ပေါ့ပါးတဲ့ ဒီဇိုင်းတောင်မှ ပါဝါမစွန့်ဘဲ ပေါ့ပါးသွက်လက်စွာ ခံစားလိုက်ပါ။
• စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ခြင်း- စွမ်းအင်ဖြုန်းတီးမှုကို လျှော့ချပြီး လျှပ်စစ်မီတာခကို လျှော့ချနိုင်ချေရှိသည်။
• ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူပိုင်းစွမ်းဆောင်ရည်- အထူးသဖြင့် အားသွင်းခြင်း လုပ်ငန်းများကို တောင်းဆိုနေချိန်များတွင် ပိုမိုအေးမြသော လုပ်ဆောင်ချက်ကို ခံစားပါ။
• ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ အားသွင်းနိုင်ချေ (သွယ်ဝိုက်၍) ပိုမိုမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူပိုင်း စီမံခန့်ခွဲမှုသည် အားသွင်းအားကို ပိုမိုကြာရှည်စွာ ပါဝါထွက်ရှိမှုကို ထိန်းထားနိုင်စေပါသည်။
• ပိုမိုအဆင့်မြင့်သောအင်္ဂါရပ်များ- ပေါင်းစပ်ကာကွယ်မှုယန္တရားများနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော ပါဝါပေးပို့ခြင်းမှ အကျိုးခံစားခွင့်။

GaN 2 မှ GaN 3 သို့ ကူးပြောင်းခြင်းသည် GaN ပါဝါဒက်တာနည်းပညာ၏ ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်တွင် သိသာထင်ရှားသော ခြေလှမ်းတစ်ခုကို ကိုယ်စားပြုသည်။ မျိုးဆက်နှစ်ခုစလုံးသည် သမားရိုးကျ ဆီလီကွန်အားသွင်းကိရိယာများထက် သိသိသာသာ တိုးတက်မှုကို ပေးစွမ်းနိုင်သော်လည်း GaN 3 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် switching frequency, efficiency, thermal management, integration, and end, power density တို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ နည်းပညာသည် ဆက်လက်ရင့်ကျက်ပြီး ပိုမိုအသုံးပြုနိုင်လာသည်နှင့်အမျှ GaN 3 အားသွင်းကိရိယာများသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားပြီး ကျစ်လစ်သောပါဝါပေးပို့မှုအတွက် အဓိကစံတစ်ခုဖြစ်လာကာ သုံးစွဲသူများအား ၎င်းတို့၏ အမျိုးမျိုးသော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် ပိုမိုအဆင်ပြေပြီး ထိရောက်မှုရှိသော အားသွင်းမှုအတွေ့အကြုံကို ပေးဆောင်မည်ဖြစ်သည်။ ဤကွဲပြားမှုများကို နားလည်ခြင်းဖြင့် သုံးစွဲသူများသည် ၎င်းတို့၏နောက်ထပ်ပါဝါအဒက်တာကိုရွေးချယ်သည့်အခါ အသိဉာဏ်ဖြင့် ဆုံးဖြတ်ချက်များချနိုင်စေကာ အားသွင်းနည်းပညာ၏နောက်ဆုံးပေါ်တိုးတက်မှုများမှအကျိုးရှိစေမည်ဖြစ်သည်။